芯片尺寸重大突破？摩尔定律再往前跨一大步？东京大学研发1纳米二硫化钼半导体纳米管，微型芯片材料获突破

6月4日国际顶刊《Science》发表的，东京大学前沿科学系副教授中西祐介牵头，联合日本产业技术综合研究所等多家机构协作完成

制备出单壁二硫化钼（MoS₂）半导体纳米管，直径精确1纳米，粗细约为人类发丝的十万分之一，是当前全球尺寸最小的半导体纳米管结构。硅走到1nm左右漏电失控已成行业难题，这款新材料从底层结构打破尺寸桎梏。理论可支撑0.5nm级别器件，是后摩尔时代核心备选材料。

如今台积电、三星、英特尔都亮出1nm以下路线，但均停留在研发试产阶段，良率、设备、巨额成本都是拦路虎。这项实验室突破潜力巨大，可量产工程壁垒厚重，距离真正商用落地还有漫长周期，埃米芯片赛道仍是多方长期博弈。