万益资讯网

MOCVD设备(InP/GaAs光芯片外延核心设备,EML产能根源瓶颈)高端磷化

MOCVD设备(InP/GaAs光芯片外延核心设备,EML产能根源瓶颈)

高端磷化铟MOCVD几乎被Veeco、Aixtron垄断,国产仍处验证/小批量阶段,扩产周期18个月

中晟光电(非上市,光通信专用MOCVD)国内唯一专攻InP磷化铟MOCVD整机厂商,设备进入源杰、三安、光迅等头部光芯片产线,适配高速EML外延生长,光通信用途国产第一。

中微公司(688012)上市公司设备龙头,GaN/GaAs MOCVD大规模量产,InP机型客户端验证落地;覆盖光芯片、射频外延全路线,资本开支弹性最大。

三安光电(600703,三安集成自研自用MOCVD)IDM自建MOCVD产线,覆盖InP/GaAs/GaN,自产外延配套自有EML芯片;国内化合物外延产能天花板,设备自研自用闭环。

备选国家队:中电科48所,军工/通信外延设备老牌厂商。