2026年6月14日，韩国政府正式启动“超级创新经济项目”，计划投入5000亿韩元（约22.3亿元人民币）国家资金，专项攻关以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的下一代功率半导体技术，将其定位为“第二存储器”和核心战略产业。   一、核心事实 1. 项目规模与战略定位 韩国政府于2026年6月14日通过紧急经济指挥部会议敲定“超级创新经济项目”细则。项目计划投入5000亿韩元国家资金，若算上民间配套资金，总规模预计达到7500亿韩元（约4.94亿美元）。韩国副总理兼经济财政部长官具允哲主持会议并敲定细则。韩国将功率半导体定位为堪比存储芯片的核心战略产业，意图将其培育为“第二存储器”。    2. 技术路线与推进方式 韩国政府计划于2026年6月内最终确定下一代功率半导体的商业化技术路线图。  攻关焦点集中在以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的化合物半导体。  要求产业链企业参与从材料、器件、模块到系统演示的全周期开发过程。  采用“需求驱动”范式，要求所有使用功率半导体的企业参与研发。 产业通商资源部已成立专项工作组，升级釜山、浦项等地的专业园区晶圆厂。  韩国的目标是在2030年将下一代功率半导体技术自主率从目前的10%提升至20%。 3. 企业布局 三星电子已重启8英寸SiC代工业务，投资规模约1000亿至2000亿韩元，计划2026年第三季度生产首批样品，目标2028年正式量产。三星同步推进8英寸GaN产线建设。SK海力士正将业务向功率半导体延伸，计划到2034年将芯片晶圆产能提高到目前的三倍。 二、直接原因 1. 摆脱对存储芯片的过度依赖 韩国半导体出口占其总出口的42.3%，过度依赖存储芯片。2026年第一季度，前五大企业贡献了出口增长的82.8%，剔除存储贡献后经济增速直接腰斩。韩国迫切需要开辟第二条半导体增长曲线。 2. 抓住AI与新能源需求爆发窗口 AI数据中心对电力稳定性和能效提出极高要求，功率半导体是保障高密度AI设备稳定运行的关键。 新能源汽车800V高压平台普及，大幅提升对碳化硅等高端功率器件的需求。 全球功率半导体呈现结构性紧缺，MOSFET、第三代半导体器件价格持续上涨。  3. 解决技术自主率低的短板 韩国90%以上的功率半导体依赖进口，技术自主率仅约10%。核心设备和关键材料受制于海外供应链，韩国政府担心这一短板若不及时弥补，将在未来产业竞争和供应链安全中演变为重大风险。