全球DRAM格局迎来重大变化，机构SemiAnalysis最新预测：2026年底长鑫存储12英寸等效晶圆月产能将达到35万片，和美光38.5万片的规模大幅收窄，四季度产能层面有望完成反超，登顶全球DRAM第三名，打破三星、SK海力士、美光长期垄断的局面。

长鑫产能快速爬坡主要得益于合肥、北京产线满负荷运转，产能利用率超95%，叠加IPO募资持续扩产；另一边美光主动调整产能结构，把大量产线倾斜给高毛利的HBM高端内存，普通DRAM扩产节奏放缓，给国产存储腾出了市场空间。长鑫主打DDR5通用内存，精准补上PC、服务器的供给缺口，国产替代订单饱满，产能消化无忧。

亮眼的还有盈利数据，今年一季度长鑫营业利润率达到70%，已经十分接近海外大厂水平，机构预估全年营收有望突破500亿美元，业绩爆发式增长。

需要理性区分：本次反超只限于晶圆产能规模。美光拥有DRAM+HBM+闪存完整产品线，深度绑定AI算力供应链；长鑫目前主力还是标准内存，高端HBM尚处于送样阶段，产品结构和高端技术仍存在差距。

产能登顶是国产DRAM里程碑式的一步，后续HBM技术突破、完善产品矩阵才是全面追赶的关键。

长鑫存储年底产能有望超越美光别的不管了，期待中签吧