韩国总统李在明向企业家鞠躬，这也凸显韩国财阀的势力。
据韩国《中央日报》日文版报道，韩国总统李在明在29日对三星电子李在镕会长和SK集团崔泰源会长宣布半导体、物理AI、AI数据中心投资计划时，称他们为“国民英雄、国家英雄”，并鞠躬90度表示感谢。对此，姜勋植总统秘书室长表示，总统原本想以跪下低头的“恭禮”的最高级形式行礼，但被劝阻，最终以90度鞠躬代替。

姜室长在当天的“大韩民国大跳跃三大项目国民报告会”结束后对记者说：“大总统今天表达了‘想行恭禮’的意愿，表示对企业家非常感谢，但身边的人劝阻说‘只做鞠躬行礼吧，行恭禮可能反而招致企业家批评’，才勉强阻止了总统。”

他接着解释道：“总统的90度鞠躬是发自内心的感谢。如果为了振兴韩国，总统有决心做得更多，这可以理解。”

李在明总统当天在青瓦台举行的报告会上与宣布投资计划的李会长、崔会长一同登上讲台，说道：“我想代表韩国企业称他们为国家英雄或国民英雄。”

接着他表示：“他们本来可以去条件更好的海外发展，但韩国企业为了国民和国家的未来，在国家层面做出困难选择，我想代表国民再次表示感谢”，并向两位会长分别鞠躬90度。李会长和崔会长也同样鞠躬回应。

李在明说：“真是令人感动的瞬间。企业以盈利为目的，但他们也清楚地证明了可以为了国家共同体的未来而行动。”随后，他表示：“为了顺利落实计划，我想握手”，与两位会长握手，并拍照纪念，并高喊“为了韩国的未来，加油”的口号。

当天以“超越复苏，迈向大跳跃，超差距大韩民国”为口号的活动，有30多位经济相关部长、公共团体负责人以及半导体、人工智能(AI)、能源、通信领域的主要企业代表参加。

当天公布的计划显示，以三星电子为首的三星系公司，将在半导体、人工智能等尖端产业的“超级项目”上投资总额达2655万亿韩元。李会长当天表示，“光州被作为下一个半导体园区候选地”，宽带内存(HBM)厂投资将在忠清地区，下一代电池及电池储能系统(BESS)将在庆尚南道及蔚山为中心进行投资。

崔会长当天介绍了集团在国内AI和半导体的投资计划：“AI数据中心项目约投资1000万亿韩元，半导体供应扩张项目约投资1100万亿韩元”。崔会长表示：“SK海力士将将原定于2045年完工的龙仁集群计划提前12年实施，为DRAM增产在龙仁投资约600万亿韩元，为NAND增产在清州投资约100万亿韩元。”他补充道：“为解决之后持续的内存供应不足，还需要建立新的生产基地。预计在符合大规模用地、电力、用水、人才等条件的西南地区投资400万亿韩元，新建集群。”