三星电子与SK海力士宣布超4800万亿韩元投资，产能最早于2030年后释放。
近日，韩国存储巨头三星与SK海力士宣布总计超4800万亿韩元的中长期投资计划，引发市场对远期“供给过剩”的担忧。然而，该计划产能最早需至2030年后方能释放，无法缓解当前由AI驱动的严重供需失衡。当前，AI需求正重塑产能结构，几乎所有新增DRAM晶圆产能均流向HBM，预计至2026/2027年底，HBM前端DRAM产能将达500k/690k wpm，占行业总产能比例达25%/31%，严重挤压传统产能。此外，AI相关需求已推高整体PCE年通胀约25个基点，印证算力成本刚性，预计2026年Q2三星DRAM与NAND混合ASP将分别环比上涨56%和70%。市场过度定价了远期风险，产能结构的深刻变化将显著拉长本轮存储景气周期，当前正是左侧布局的击球区。关注：三星电子/SK海力二（存储巨头，受益于AI需求驱动及产品均价大幅上涨），Kokusai Electric/东京电子/东京精密（半导体设备，受益于韩系巨头扩产及设备订单放量）