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碳化硅切片:第三代半导体最硬核卡脖子环节,弘元绿能实现国产突围 碳化硅硬度极高、

碳化硅切片:第三代半导体最硬核卡脖子环节,弘元绿能实现国产突围
碳化硅硬度极高、脆性大,切片是第三代半导体产业链公认的核心瓶颈。切割效率低、微裂纹崩边难控、精度要求严苛、晶锭损耗大,长期依赖海外设备垄断,直接制约产业规模化与成本下降。
长晶、外延、器件环节均有成熟路径,唯有切片是衬底量产必经的关键卡点。弘元绿能突破超硬脆材料切割核心技术,设备精度、良率、损耗指标行业领先,价格比进口低30%-40%,国内市占率超60%,反超日本Disco、德国PVA,主力机型适配多尺寸晶圆,已获批量订单,国产替代空间广阔。