第一张图片“氮化镓”反隐身雷达，第二张图片“砷化镓”机载雷达。那么，“氮化镓”雷达与“砷化镓”雷达，到底有什么区别呢！ 两款雷达区别的核心体现在半导体材料的特性上，“氮化镓”凭借着更高的功率密度，是“砷化镓”的5～7倍；更远的探测距离，提升了77%的距离；更强的抗高温性能、熔点1700度，已经成为了新一代军用雷达的首选。 第一材料性能对比。“氮化镓”GaN的禁带宽度3.4eV，熔点1700度，热导率是“砷化镓”的7倍，可以承受更高的功率负荷。而“砷化镓”GaAs的禁带宽度1.42eV，熔点1238度，功率密度和耐高温性较弱，长时间高功率运行易出现热衰退。 第二雷达探测性能。在相同的天线尺寸下，“氮化镓”雷达的探测距离比“砷化镓”雷达增加77%。例如对隐身目标，RCS值=0.03平米，“氮化镓”的探测距离可达146公里，而“砷化镓”却仅有83公里。另外，“氮化镓”器件的功率密度是“砷化镓”的10倍，可以集成更多的T/R组件，对于总功率的提升会很大。 第三雷达的抗干扰与多任务能力。首先，“氮化镓”雷达的宽带特性（8～18GHz频段信号失真率0.5%），可穿透电子干扰，同时跟踪400个目标并锁定100个。而“砷化镓”雷达在处理多目标时性能显著下降。其次，“氮化镓”雷达可以全程开机执行侦察、干扰、攻击任务，“砷化镓”雷达每15分钟需要冷却2分钟。 第四装备迭代现状。目前中国已经全面列装“氮化镓”雷达，可以说是“遍地开花”。而美国的F35隐身战机最近才升级为“氮化镓”AN/APG85型雷达,F22仍然在使用AN/APG77型“砷化镓”雷达，而且造价也极为昂贵，制造材料短缺。 第五下一代材料的发展。1“碳化硅”SiC材料，用于雷达的供电模块，与“氮化镓”形成前后端协同，可将探测距离扩展至1000公里。2“氧化镓”Ga2O3的禁带宽度4.9eV，“氧化镓”比“氮化镓”的探测距离会更远，目前还处于试验阶段。
