中国航天科工杨博钦博士:DUV光刻机和EUV光刻机有什么区别?两者核心区别源于光源波长,进而在技术原理、工艺、成本等多方面形成差异,具体关键区别如下:1. 光源波长:DUV用193nm深紫外光,浸没式技术下等效波长134nm;EUV用13.5nm极紫外光,波长仅为前者的约1/14。2. 光学与运行环境:DUV靠折射式透镜传光,可在空气或搭配超纯水的环境工作;EUV光易被物质吸收,需用钼硅多层反射镜传光,且全程要在真空环境中运行。3. 制造工艺:DUV需通过多重曝光实现先进制程,步骤繁琐;EUV能单次曝光完成复杂图案,大幅简化工艺,还能减少缺陷累积。4. 适用制程:DUV是成熟主力,多用于28nm - 7nm制程;EUV主打7nm及以下更先进的制程,是顶级芯片制造的关键设备。5. 成本与供应商:DUV单台数千万美元,供应商有ASML、尼康、佳能;EUV单台超1.5亿美元且维护成本高,目前全球仅ASML能制造。
