在摩尔黄金时代，新工艺良率爬坡周期极短，全新制程量产3—6个月即可实现高良率稳定出货，快速收回研发与产线成本。但进入先进制程时代，工艺复杂度爆炸式增长，良率爬坡周期被大幅拉长，成为制约产业盈利的核心瓶颈。3nm、2nm先进制程拥有数千道工艺步骤，每一道步骤的参数偏差、环境波动、设备精度误差，都会引发晶圆缺陷，导致整片报废。工艺参数耦合度极高，单一参数调整会影响数十项性能指标，缺陷溯源、工艺优化、良率提升的难度呈指数级上升。当前主流3nm制程从试产到高良率量产，爬坡周期长达3一5年，漫长的爬坡期意味着长期的亏损投入，资本回笼周期大幅拉长，产业商业模型持续恶化。同时，先进制程良率上限持续下降，即便完成长期爬坡，稳定良率也远低于成熟制程，进一步拉高单颗芯片的制造成本，让先进制程芯片陷入“贵且不稳”的产业困境。