1. 硅基仍是逻辑、存储主流，新材料为补充而非替代硅芯片成本、成熟度无可替代；SiC/GaN仅用于功率、射频场景，二者是搭配关系，不存在全面替代硅的可能。2. 第三代半导体SiC、GaN全面规模化商用- SiC碳化硅：新能源车逆变器、光伏储能高压场景爆发；行业从6英寸转向8英寸晶圆，国内加速8英寸衬底良率攻关，车规级SiC模块渗透率持续提升，单车半导体价值突破600美元。- GaN氮化镓：快充、AI服务器电源、5G射频核心材料，低压高频优势显著，数据中心电源需求增速超过车载SiC。3. 第四代超宽禁带材料（氧化镓、金刚石）远期布局氧化镓面向超高压电网，金刚石极致散热；目前仅实验室试样，设备、工艺空白，10年内无法大规模商用，仅中长期技术储备赛道。4. 二维半导体（MoS₂）前沿研发超薄0.6nm结构解决3nm以下短沟道效应，电子迁移率远超硅；当前仅边缘算力小规模试用，2028年后才有望小批量导入逻辑芯片。
